Un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es un tipo de dispositivo semiconductor de potencia utilizado para controlar aplicaciones de alto voltaje y alta corriente, como suministros de alimentación, unidades de motor e inversores. Combina la velocidad de conmutación rápida de un transistor de unión bipolar (BJT) con la puerta controlada por voltaje de un transistor de efecto de campo-óxido de metal-óxido-semiconductor (MOSFET).
El IGBT funciona utilizando un MOSFET como etapa de entrada y un transistor de unión bipolar como etapa de salida.
La puerta del MOSFET está aislada del resto del dispositivo, lo que permite un funcionamiento de alto voltaje y una mejor confiabilidad.
*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.
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