IGBT Datasheet(PDF) - MSK4852_15 - M.S. Kennedy Corporation

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IGBT Datasheet, PDF

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Palabra clave buscada : 'IGBT' - Total: 11 (1/1) Pages

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
M.S. Kennedy Corporatio...	MSK4852	1Mb/8P	Full Three Phase Bridge Configuration with SCR/IGBT Brake
	MSK4854	941Kb/8P	Full Three Phase Bridge Configuration with SCR/IGBT Brake
	MSK4850	768Kb/7P	Full Three Phase Bridge Configuration with SCR/IGBT Brake
	MSK4470	265Kb/7P	10 AMP, 500V, 3 PHASE IGBT BRUSHLESS MOTOR CONTROLLER
	MSK4853	563Kb/9P	Full Three Phase Bridge Configuration with SCR/IGBT Brake
	MSK4370	195Kb/3P	10 AMP, 500V, 3 PHASE IGBT BRUSHLESS MOTOR CONTROLLER
	MSK4454S	227Kb/6P	10 AMP, 600 VOLT IGBT SMART POWER 3-PHASE MOTOR DRIVE HYBRID
	MSK4354HU	260Kb/6P	10 AMP, 600 VOLT IGBT SMART POWER 3-PHASE MOTOR DRIVE HYBRID
	MSK4357HU	335Kb/6P	28 AMP, 500 VOLT IGBT PLUS DIODE SMART POWER 3-PHASE MOTOR DRIVE HYBRID
	MSK4358	421Kb/6P	25 AMP, 500 VOLT IGBT PLUS DIODE FULLY ISOLATED SMART POWER 3-PHASE MOTOR DRIVE POWER HYBRID
	MSK4351	405Kb/6P	50 AMP, 500 VOLT IGBT PLUS DIODE FULLY ISOLATED SMART POWER 3-PHASE MOTOR DRIVE POWER HYBRID

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¿Qué es IGBT

Un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es un tipo de dispositivo semiconductor de potencia utilizado para controlar aplicaciones de alto voltaje y alta corriente, como suministros de alimentación, unidades de motor e inversores. Combina la velocidad de conmutación rápida de un transistor de unión bipolar (BJT) con la puerta controlada por voltaje de un transistor de efecto de campo-óxido de metal-óxido-semiconductor (MOSFET).

El IGBT funciona utilizando un MOSFET como etapa de entrada y un transistor de unión bipolar como etapa de salida.

La puerta del MOSFET está aislada del resto del dispositivo, lo que permite un funcionamiento de alto voltaje y una mejor confiabilidad.

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