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IGBT Datasheet, PDF

Palabra clave buscada : 'IGBT' - Total: 20 (1/1) Pages
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Solid States Devices, I...
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ultrafast IGBT
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Fast Power IGBT
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1.65 V saturation ultrafast IGBT
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600V, 400A FAST SWITCHING IGBT HALF BRIDGE
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600V, 200A FAST SWITCHING IGBT HALF BRIDGE
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55 AMP /600 Volts 1.65 V saturation ultrafast IGBT
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400 AMP/600 VOLTS IGBT POWER MODULE FOR SPACE APPLICATIONS
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200 AMP N-CHANNEL IGBT WITH ANTI-PARALLEL DIODE 600 VOLTS
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200 AMP/600 VOLTS HALF BRIDGE IGBT POWER MODULE FOR SPACE APPLICATIONS
SHA489 Datasheet pdf image
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IGBT REPLACEMENT ULTRA FAST SWITCHING DEVICE 200 Amps 250 Volts 1000 Watts

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¿Qué es IGBT


Un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es un tipo de dispositivo semiconductor de potencia utilizado para controlar aplicaciones de alto voltaje y alta corriente, como suministros de alimentación, unidades de motor e inversores. Combina la velocidad de conmutación rápida de un transistor de unión bipolar (BJT) con la puerta controlada por voltaje de un transistor de efecto de campo-óxido de metal-óxido-semiconductor (MOSFET).

El IGBT funciona utilizando un MOSFET como etapa de entrada y un transistor de unión bipolar como etapa de salida.

La puerta del MOSFET está aislada del resto del dispositivo, lo que permite un funcionamiento de alto voltaje y una mejor confiabilidad.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.


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