D-S Datasheet(PDF) - 2305570 - PHOENIX CONTACT

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D-S Datasheet, PDF

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Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
PHOENIX CONTACT	2305570	81Kb/6P	Cable - CABLE-D 9SUB/S/S/100/KONFEK/S 09/12/2020
Shenzhen Huazhimei Semi...	HM2309B	1Mb/5P	P-Channel 60V(D-S)
	HM2309DR	1Mb/5P	P-Channel 60V(D-S)
	HM2809D	1Mb/5P	P-Channel 60V(D-S)
FCI connector	C01-8646-0099	113Kb/1P	MALE CONNECTEOR DELTA D S
Shenzhen Huazhimei Semi...	HM2809DR	1Mb/5P	P-Channel 60V(D-S)
FCI connector	C-DSUB-0065	129Kb/1P	D-SUB S/S W/W CONNECTOR(WITH ASSEMBLY
Vishay Telefunken	SIA537EDJ	398Kb/14P	N-Channel 12 V (D-S) and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix	SIA537EDJ	401Kb/14P	N-Channel 12 V (D-S) and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET 01-Jan-2022
Vishay Siliconix	SIA537EDJ	401Kb/14P	N-Channel 12 V (D-S) and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET Rev. A, 30-Dec-13
List of Unclassifed Man...	SSC-736A	814Kb/32P	S O L D E R I N G , D E S O L D E R I N G A N D R E W O R K S Y S T E M S
FCI connector	DC37S064T	129Kb/1P	D-SUB S/S W/W CONNECTOR (WITH ASSEMBLY OPTIONS)
	DC37P064TX	129Kb/1P	D-SUB S/S W/W CONNECTOR (WITH ASSEMBLY OPTIONS)
	DB25P364TX	129Kb/1P	D-SUB S/S W/W CONNECTOR (WITH ASSEMBLY OPTIONS)
	DB25P065HTX	129Kb/1P	D-SUB S/S W/W CONNECTOR (WITH ASSEMBLY OPTIONS)
Vishay Siliconix	SI9928DY	93Kb/6P	Complimentary 20-V (D-S) MOSFET Rev. G, 27-Mar-00
Vishay Siliconix	Si5504DC	65Kb/7P	Complementary 30-V (D-S) MOSFET Rev. B, 05-Aug-02
Bruckewell Technology L...	MSD23N22	528Kb/6P	N-Channel 30V (D-S) MOSFET
Bruckewell Technology L...	MSD23N58	227Kb/4P	N-Channel 60V (D-S) MOSFET
Analog Power	AM2398NE	183Kb/3P	N-Channel 60V (D-S) MOSFET

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¿Qué es D-S

D-S es uno de los términos comúnmente utilizados en componentes electrónicos.

D-S significa fuente de drenaje y se usa en dispositivos semiconductores como MOSFET (transistor de efecto de campo de óxido de metal-semiconductor).

Un MOSFET es uno de los dispositivos semiconductores representativos y se usa para controlar la corriente de acuerdo con el voltaje.

Un MOSFET tiene tres pines: puerta, drenaje y fuente, entre los cuales D-S representa la distancia entre el drenaje y la fuente.

La distancia D-S es uno de los factores que tienen una influencia importante en las características de MOSFET.

Hacer que esta distancia sea más pequeña aumenta la resistencia de voltaje en el dispositivo, lo que aumenta la velocidad y el rendimiento del MOSFET.

Por lo tanto, la distancia D-S es uno de los factores importantes que determinan el rendimiento de los MOSFET.

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